Инверсионный слой

Слои у границы полупроводника, отличающийся от внутренних областей противоположным знаком основных носителей заряда. Может образовываться как у свободной границы, так и у границы раздела с диэлектриком, металлом или другим полупроводником. Образование инверсионного слоя обусловлено воздействием на полупроводник нормального к поверхности электрического поля, которое согласно зонной теории приводит к изгибу энергетических зон вблизи поверхности. Является основным элементом полевого транзистора, часто встречается в различных устройствах микроэлектроники.